濺射淀積內部金屬堆疊：鉛或TMS320DM6467ZUT7錫焊料球是首選凸點材料。然而，在大部分集成電路中的最后金屬層是鋁，它有容易被氧化成絕緣的氧化鋁的缺點。將鋁和凸球電連接要求一個凸點F-金屬化( UBM)金屬疊層（又稱栓塞）j7。金屬疊層還必須鍵合到通孑L的各面，基本封住下面集成電路壓點來防止污染。UBM工藝以通過濺射刻蝕或濕法化學處理去除氧化鋁層為起點。

   典型的金屬堆疊有4層：

   ·對于“濕”硅的增黏層( Ti/Cr/AI)

   ·擴散阻擋層，以防無用的金屬擴散進集成電路從而引起污染(Cr: Cu)

   ·助焊層( Cu/Ni: V)

   ·氧化阻擋層，以防與凸點金屬( Au)產生機械或電連接