硅通子L技術：除了芯片面對面的凸點／焊球鍵合和從頂層芯片到下面芯片（芯片塊）的引線鍵合外，FM24C256-G還有一種硅通孔( TSV)技術。這個概念很簡單，在晶圓創建從頂到底的洞（通孔），，使用光刻／刻蝕和等離子刻蝕。可在晶片制造工藝的前端( FEOL)或后端(BEOL)過程中創建通孔（見圖18. 44）。

   圖18. 44硅通孔技術示意圖（源自：Tessara）

   內插結構：內插結構( interposer)是中間疊層或襯底，允許在封裝體內芯片之間或芯片與封裝體連接之間有一個額外的連接平面（或多個平面）（見圖18. 45）。它們還可以給封裝體提供硬度。有機內插結構是具有穿通孔導體的疊層制成的。剛性的內插結構通常是由環氧樹脂材料制成的，而柔性的內插結構是由樹脂制成的。…i。硅片通過硅通孔作為內插器。在一些方案中，硅片通過硅通孔作為內插結構。