當靶面無光照射時，各像素FDD5614P的電阻很大，即暗電流很小。在電子束掃過某一像素的瞬間，該像素與電源正極（+ VT）和陰極接成通路，于是電容被充電，電容左側電位上升到+ VT，而右側為陰極電位。電子束離開后，電容通過電阻放電，由于暗電導很小，因此放電極慢。在兩次掃描的間隔期內，電容右側電位只上升一個很小的增量△所，當該像素受到下一次掃描時，右側電位又恢復到陰極電位。此時的充電電流稱為暗電流。為了克服靶面上各像素的差異引起的暗電流起伏干擾，就希望光電導材料有的電阻率。

   當光學圖像成像到靶面上時，由于靶面受到光照，各像素的電阻值隨入射光的照度而變化，照度大則電阻小，放電快，在兩次掃描間隔期內靶右側電位上升量大；照度小則電阻大，靶右側電位上升量小。于是在一幀時間里，靶的右側就形成了一幅與光學圖像明暗分布相對應的電位圖像，這就是圖像的存儲過程。經掃描，電子束對像素電容充電，其充電電流稱為光電流（即信號電流）。電子束掃完一幀圖像后，這幅電位圖像就轉換為隨時間變化的電信號。由于對應亮的像素流過RL的電流大，對應暗的像素流過RL的電流小，因此負載上輸出的是負極性的圖像信號。所以電子束掃描過程為信號的讀取過程。當像素電容再次充電到電壓VL（即右側電位又恢復到陰極電位）時，像素存儲信號被擦除掉。

   為了滿足信號電荷的存儲功能且具有較小的惰性，要求光電導靶滿足以下特性：

   ①光電導層的電阻率p≥l012Q-cm：

   ②靶的靜電電容在600～3000 pF的范圍內；

   ③光電導材料的禁帶寬度為1.7 eV≤Eg<2 eV。

   PN結型靶由于阻擋層（勢壘）的存在降低了暗電流，因此對電阻和禁帶寬度的要求大大放寬，擴大了材料選擇的范圍。所以除了早期的視像管外，現在大多采用PN結型視像管靶，硅靶是其中之一。