硅靶是由大量微小的光電二板管的陣列構成的，其結構和工作原理如圖7.14所示。極FDLL4148薄的N型硅片的一面經拋光、氧化而形成一層絕緣良好的二氧化硅( Si02)膜。用光刻技術在膜上刻出圓形窗孔陣列（一英寸管有近50萬個窗孔），通過窗孔將硼擴散入硅基片，形成P型島陣列。每個P型島與N型基片構成‘個PN結光電二極管，而每個光電二極管被Si02膜隔開，形成一個單獨的像素。這樣N型硅片的一面為N+層，另。面為P型島陣列，構成具有40多萬個像素的硅靶。為使電子束掃描時不在電阻率很高的Si02膜上積累電荷而影響掃描電子束上靶的工作，可以給各P型島加上相互絕緣的金屬導電層，使每個二極管的導電電極有盡可能大的面積；或者在整個靶面上蒸發一層半絕緣性質的電阻層（如CdTe電阻層），使電荷可以流向各個光電二極管。