電荷存儲方式的基本原理是：如果R5F211B2SP把光電二極管的PN結反向偏置到某一固定偏壓（一般為幾伏），然后斷開電路，那么存儲在二極管電容上的電荷的衰減速度與入射光照度成正比。下面結合SSPD電路進行分析。

   我們取出SSPD中的一位電路來分析，如圖7.36 (a)所示。其中，Cd為光電：極管的等效電容（包括PN結電容和附加的MOS屯容），RL為負載電阻，礦為視頻線偏壓，VT，為與第f位二極管VDf相連的MOS FET開關，Pi為第f位移位寄存器輸出的采樣脈沖信號。這里暫不考慮視頻等效電容Cd。圖7.36 (a)可轉化為圖7.36 (b)所示的等效電路。這里如為二極管在反偏下的暗電流，五為光電流。

   設tl時刻Pj為一負脈沖，如圖7.36 (c)所示，則VTi導通，偏壓電源V通過負載電阻R和開關VTz使二極管電容Cd很快充電到偏壓礦，因而在Cd上存儲電荷Q=Cd Vo。當毋的負脈沖結束后，VL截止，二極管VD，和電路斷開，Cd上充滿的電荷逐漸衰減。在無光照時，光電流五=0，只有二極管的暗電流使電荷Q緩慢泄放。到下次采樣脈沖到來時（t2時刻）。