(1)干膜成像法

   干膜(P⒒Ⅲ呷Dγ∏lm)的構成:聚酯蓋膜(Polycstcr)+感光抗蝕膜(Pllotorcsist co碰hg)+聚乙烯隔膜(Polycthylcnc,PE)。

   (2)涉及工序

   ①貼膜(干式貼膜和濕式貼膜)。

   貼膜前銅面處理(噴砂研磨法――火山巖粉末、化學前處理法――過硫酸鈉微蝕、機械HD6437042E14F研磨法――灰色尼龍刷各有優缺點),去除銅面油脂、氧化層、灰塵顆粒殘留、水分(特別是孔內)、化學物質(特別是堿性物質)。

   濕式貼膜能改善貼膜效果,但僅能適用于未鉆孔的內層板面電路制作;傳統水溶性干膜也不適用于濕式貼膜法(膠渣現象);氧化銅面的疏水性和干凈銅面的親水性決定濕式貼膜設計中,銅面濕潤后必須馬上貼膜。

   ②曝光。

   曝光的作用是曝光機的紫外線通過底片使菲林上部分圖形感光,從而使圖形轉移到銅板上,如圖610所示。

   ③顯影。通過藥水碳酸鈉的作用,將未曝光部分的干膜溶解并沖洗后,留下感光的部分,有垂直顯影和水平顯影兩種。

   ④蝕刻。蝕刻是將未曝光的露銅部分銅面蝕刻掉。

   ⑤剝膜。剝膜是通過NaoH將保護線路銅面的菲林去掉。曝光后干膜屬于聚酯類高分子化合物,具有羧基(―COOH)的長鏈立體網結構。與NaoH或專用退膜水發生皂化反應,長鏈網狀結構斷裂,產生皂化反應。在高壓作用下,斷裂后的碎片被剝離銅面。