芯片燒毀。隨著集ADC0809CCV成度的增加,器件尺寸在減小,按等比例縮小原理,器件尺寸縮小佬倍,電源電壓減少佬倍,摻雜濃度增加庀倍。這一比例縮小規則已令人滿意地使器件溝道長度縮小到90nm,但這里有兩個致命的可靠性問題。首先是線電流密度增加七倍,使電遷移危險增加,其次是柵氧化層中的電場增強。如果器件為保持與現有邏輯兼容而以保持恒定電源電壓的等比例縮小時,這些影響將更為 嚴重,電流密度將以縮小因子的三次方增加,電場也將隨縮小因子而增強,這使功率密度增強,結溫更高。

   MOS器件的柵氧化層對電場增強特別敏感,高場強的電場將引起薄氧化層的擊穿和熱電子的俘獲。柵氧化層的擊穿是MOs器件的基本失效機理,目前MOs器件的柵氧化層厚度可以小于1.2nm。

   當過大的輸入信號或電源電壓加到芯片上時,會產生器件的大面積燒毀或芯片上產生嚴重的過應力擊穿點,這就是芯片燒毀。