1)優點

   離子注入時,襯底的溫度較低,可在較低的溫度下((750℃)將各種雜質摻入到半導體中, A3245避免由于高溫擴散引起的熱缺陷。所摻雜質是通過分析器單一地分選出來后注入半導體基片中去的,可避免混入其他雜質。能精確控制基片內雜質的濃度、分布和注入濃度。能在較大面積上形成薄而均勻的摻雜層。注入雜質是按掩模圖形近于垂直入射,橫向擴散效應比熱擴散小得多,這一特點有利于器件特征尺寸的縮小。另外,化合物半導體是兩種或多種元素按一定組分構成的,這種材料經高溫處理時,組成可能發生變化。采用離子注入技術,容易實現化合物半導體的摻雜。

   2)缺點

   在晶體內產生的晶格缺陷不能全部消除。離子束的產生、加速、分離和集束等設備價格昂貴。制作深結時要求的能量太高,難以實現,要注入高濃度時效率低。因此,高濃度深結摻雜一股仍采用高溫熱擴散方法。