離子注入是一個物理過程,摻雜離子被離化、分離、加速(獲取動能),形成離子束流,掃過硅片。A3245_06雜質離子對硅片進行物理轟擊,進入表面,并在表面以下停止。離子源和引出裝置通常放置在同一真空腔,用于從氣態或固態雜質中產生正離子。帶正電的離子由雜質氣態源或固態源的蒸汽產生。通常用到的B+、P+、As+、s曠都是電離原子或分子得到的,最常用的雜質物質有B2H6、BF3、PH3、AsH3等氣體。由于離子本身帶電,因此能夠被電磁場控制和加速。另一種供應雜質材料的方法是加熱并氣化固態材料,這種方法有時被用于從固態小球中獲得砷As+和磷P+。固態源的缺點是氣化時間較長(佃~180分鐘)。氣態源大多有毒且易燃易爆,使用時必須注意安全。從環境和安全角度出發,大多數IC芾刂造商更愿意使用固態離子源。注入材料形態選擇如表2.8所示。