離子注入后晶圓表面的離子分布與擴散工藝后的分布不同。離子注入工藝中,原子數量(劑量)由束流密度(每平方厘米面積上的離子數量)和注入時間來決定。 A3245ELHLT晶圓內部離子的具體位置與離子能量、晶圓取向、離子的停止機制有關。離子的能量是有分布的,最終離子停留在晶圓內一定的區間范圍,如圖2.13所示。它們集中在一定的深度,稱為投影射程,兩側的濃度逐漸降低,呈現出高斯分布。

   圖2.13 離子注入后雜質濃度分布剖面圖

   晶圓的晶體結構在離子注入時,注入內部的離子會與晶格原子發生不同程度的碰撞。當晶圓的主要晶軸對準離子束流時,來自原子的阻止作用要小得多,離子可以沿溝道深入,達到計算深度的10倍距離處,這種現象稱為“溝道效應”,如圖2.14所示。