在集成電路制造中,多道摻雜工序均采用了離子注入技術,例如調整閾值電壓采用溝道摻雜,CMOs工藝阱的形成以及源區、漏區的形成,尤其是淺結,主要靠離子注入技術來完成。A3242LUA-T與擴散法摻雜比較,離子注入法摻雜具有加工溫度低、容易制作淺結、能夠均勻地大面積注入雜質和易于實現自動化等優點,己成為超大規模、特大規模、巨大規模集成電路制造中不可缺少的工藝。

   離子注入原理

   原子或分子經過離子化后形成離子,它帶有一定量的電荷,即等離子體。用能量為1OOKcV量級的離子束入射晶圓,離子束與晶圓中的原子或分子將發生一系列的相互作用,入射離子逐漸損失能量,最后停留在晶圓中,從而達到摻雜的目的。離子注入晶圓中后,會與硅原子碰撞而損失能量,能量耗盡后離子就會停在晶圓中的某個位置上。離子通過與硅原子的碰撞將能量傳遞給硅原子,使得硅原子成

為新的入射粒子,新入射離子又會與其他硅原子碰撞,形成連鎖反應,如圖2,12所示。