存儲數據丟失。ADG452BN存儲數據丟失是指在外界因素作用下產生的電路誤動作,使動態存儲器存儲電荷丟失、靜態隨機存儲器(RAM)的存儲單元翻轉、動態邏輯電路信息丟失的現象,與器件本身的物理缺陷無關。

   保護電路燒毀。微電子器件在加工生產、組裝、儲存及運輸過程中,可能與帶靜電的容器、測試設備及操作人員相接觸,所帶靜電經過器件引線放電到地,使器件受到損傷或失效,叫做靜電放電損傷(Elec廿o-st狨iC damagc,ESD)。它對各類器件都有損傷,而MOs器件對此特別敏感。器件抗靜電能力與器件類型、輸入端保護結構、版圖設計、制造工藝及使用情況有關。

   器件的EsD分成1、2、3三個等級,其抗靜電電壓分別為2000V以下、2000~3999V及4000Ⅴ以上。在過電應力或過高的靜電壓作用下,保護電路會被擊穿或燒毀,從而使器件失去功能,導致失效。