在PECVD系統中,以氬氣(Ar)作為攜載氣體通過siH4、02、N2和PH3之間的反應完成PsG的沉積。 AD7892BNZ-1一般認為,這種情況下沉積的薄膜比APCVD沉積的薄膜有更好的臺階覆蓋、不易破碎而且沒有真空間隙。PSG中磷的含量與sH。/PH3比、沉積溫度以及N20/(siH4+PH3)比有關。

   PsG的主要優點:PSG比UsG有更好的抗劃傷能力,能夠吸附可能損壞管芯的Na雜質,有比UsG更低的壓應力。磷雜質的加入將降低S⒑2膜的熔點(回流)溫度。

   加磷(PSG)存在的問題:增加了Al侵蝕的風險,磷擴散到圓片的其他區域,比UsG更糟的沉積均勻性、臺階覆蓋能力略差和更高的腐蝕速率(WER、DER)。用作鈍化層及層間絕緣的PsG,磷含量不應超過8%,最佳含量為4%。含磷量過高,PsG會發生極化,引起表面漏電,影響器件的穩定性;磷與水汽反應生成偏磷酸,腐蝕Al;力口速器件失效;膜的黏附性變壞,易脫膠等。含磷量過低時,會降低PsG對Na+的提取、固定和阻擋作用,PsG的本征張應力大,熱處理時易龜裂等。