在純Al中加入少量的si形成Alsi合金材料,一般為1%(質量比),可以在很 大程度上解決Al尖刺現象。EL5367IU但是它將引入另一個問題,就是Si的析出問題。即在合金退火過程中,一部分Si會溶解到A1中直至飽和,而剩余的Si將會以微粒的形式存在于Al中,冷卻時,這些微粒⒏會成為析出沉積Si的核,并逐步增大成為一個個si單晶的結瘤。這會使結接觸電阻增大,另一方面會使鍵合變得困難。這就迫使人們去尋找新的金屬化結構。

   A丨-阻擋層結構

   現在普遍使用的結構為△/TiN/Al,△用做黏附層及接觸之用。在高溫下,△與si會形成一層電阻率極低的⒎si2。TiN起阻擋層用,它可有效地阻止Aysi間的互溶,防止了結穿通的發生。