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鎳硅化物整合的另一個挑戰是接觸面漏電流的增大

發布時間:2016/6/14 21:10:54 訪問次數:584

   雖然鎳硅化物對比之前的硅化物具有很多優點,但是它對制程的控制和整合也提出了更高的要求。 EL5421CY鎳硅化物隨著溫度的升高具有不同的化學組成。低溫時首先形成的是高阻Ni2Si,隨著溫度的升高,低阻的Ni⒏開始出現。Ⅺsi相在高溫下不穩定,在高于700℃時會因為團聚和相變而生成高阻的NiS煬相,因此對隨后的后段工藝中各個步驟的最高溫度產生了限制。在№中摻入少量Pt能提高Ns的高溫穩定性。

   鎳硅化物整合的另一個挑戰是接觸面漏電流的增大,其原因是鎳硅化物與硅之間的存在缺陷或界面過于粗糙。因此,對于№金屬鍍膜之前晶片表面的清潔狀況及缺陷控制的要求十分嚴格。如果表面清潔狀況不理想,很容易形成諸如針狀等缺陷,從而造成器件漏電。另外,界面形貌的控制對漏電流也至關重要。尖峰退火具各限制擴散的能力,從而能控制鎳硅化物與硅接口間的形貌。


   雖然鎳硅化物對比之前的硅化物具有很多優點,但是它對制程的控制和整合也提出了更高的要求。 EL5421CY鎳硅化物隨著溫度的升高具有不同的化學組成。低溫時首先形成的是高阻Ni2Si,隨著溫度的升高,低阻的Ni⒏開始出現。Ⅺsi相在高溫下不穩定,在高于700℃時會因為團聚和相變而生成高阻的NiS煬相,因此對隨后的后段工藝中各個步驟的最高溫度產生了限制。在№中摻入少量Pt能提高Ns的高溫穩定性。

   鎳硅化物整合的另一個挑戰是接觸面漏電流的增大,其原因是鎳硅化物與硅之間的存在缺陷或界面過于粗糙。因此,對于№金屬鍍膜之前晶片表面的清潔狀況及缺陷控制的要求十分嚴格。如果表面清潔狀況不理想,很容易形成諸如針狀等缺陷,從而造成器件漏電。另外,界面形貌的控制對漏電流也至關重要。尖峰退火具各限制擴散的能力,從而能控制鎳硅化物與硅接口間的形貌。


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