銅填充后的器件
發布時間:2016/6/19 18:25:19 訪問次數:530
采用PⅤD沉積Ta浸潤層,CVD沉積銅,此時凹槽中均已填充Ta和銅,接著進行銅CMP, EP2C5Q208C8N去掉表面多余的銅,最終形成金屬2的互連,如圖4.28所示。
多層金屬互連以及Pad
金屬3及其上層金屬工藝與金屬2類似。在頂層金屬完成后,采用PECVD的方法沉積s圮N4和sio2,作為器件的鈍化保護層。Pad光刻并腐蝕掉⒏3N4和Si02,形成引線Pad(Bonding pad)區域。全部工序完成后的器件剖面圖如圖4.29所示。
采用PⅤD沉積Ta浸潤層,CVD沉積銅,此時凹槽中均已填充Ta和銅,接著進行銅CMP, EP2C5Q208C8N去掉表面多余的銅,最終形成金屬2的互連,如圖4.28所示。
多層金屬互連以及Pad
金屬3及其上層金屬工藝與金屬2類似。在頂層金屬完成后,采用PECVD的方法沉積s圮N4和sio2,作為器件的鈍化保護層。Pad光刻并腐蝕掉⒏3N4和Si02,形成引線Pad(Bonding pad)區域。全部工序完成后的器件剖面圖如圖4.29所示。
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