(1)短路。互連線HBD040YGE-A因電遷移而產生小丘堆積,引起相鄰兩條互連線短路,在微波器件和VLSI中尤為多見。鋁在發射極末端堆積,可引起EB結短路。多層布線的上下層鋁條間也會因電遷移發生短路等。

   (2)斷路。在金屬化層跨越臺階處或有傷痕處,應力集中,電流密度大,可因電遷移而發生斷開。鋁條也可因水汽作用產生電化學腐蝕而開路。

   (3)參數退化。電遷移還可引起EB結擊穿特性退化、電流放大系數‰變化等。

   抗電遷移措施可從設計、工藝、材料芯片表面和覆蓋介質膜方面進行考慮。

   設計。合理進行電路版圖設計及熱設計,盡可能增加條寬,降低電流密度,采用合適的金屬化圖形(如網絡狀圖形比樹狀結構好),使有源器件分散。增大芯片面積,合理選擇封裝形式,必要時加裝散熱器防止熱不均勻性和降低芯片溫度,減小熱阻,有利于散熱。