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介質膜

發布時間:2016/6/20 21:30:11 訪問次數:985

   介質膜。互連線HBD040YED-A上覆蓋介質膜(鈍化層)后,不僅可防止鋁條的意外劃傷、腐蝕及離子沾污,也可提高其抗電遷移及電浪涌能力。介質膜能提高抗電遷移的能力,是因表面覆有時降低了金屬離子從體內向表面運動的概率,抑制了表面擴散,也降低了晶體內部肖特基空位濃度。另外,表面的介質膜可作為熱沉使金屬條自生的焦耳熱能從布線的雙面導出,降低金屬條的溫升及溫度梯度。

   合金效應。鋁中摻雜如Cu、si等少量雜質時,硅在鋁中溶解度降低,大部分硅原子在晶粒邊界處沉積,并且硅原子半徑比鋁原子大,降低了鋁原子沿晶界的擴散作用,能提高鋁的抗電遷移能力。當布線進入亞微米量級,線條很細,雜質在晶界處集積使電阻率提高,產生電流擁擠效應。

   脈沖電流。電遷移討論中多針對電流是穩定直流的情況,實際電路中的電流可為交流或脈沖工作,此時其r血TTF的預計可根據電流密度的平均值J及電流密度絕對值|J|來計算。



   介質膜。互連線HBD040YED-A上覆蓋介質膜(鈍化層)后,不僅可防止鋁條的意外劃傷、腐蝕及離子沾污,也可提高其抗電遷移及電浪涌能力。介質膜能提高抗電遷移的能力,是因表面覆有時降低了金屬離子從體內向表面運動的概率,抑制了表面擴散,也降低了晶體內部肖特基空位濃度。另外,表面的介質膜可作為熱沉使金屬條自生的焦耳熱能從布線的雙面導出,降低金屬條的溫升及溫度梯度。

   合金效應。鋁中摻雜如Cu、si等少量雜質時,硅在鋁中溶解度降低,大部分硅原子在晶粒邊界處沉積,并且硅原子半徑比鋁原子大,降低了鋁原子沿晶界的擴散作用,能提高鋁的抗電遷移能力。當布線進入亞微米量級,線條很細,雜質在晶界處集積使電阻率提高,產生電流擁擠效應。

   脈沖電流。電遷移討論中多針對電流是穩定直流的情況,實際電路中的電流可為交流或脈沖工作,此時其r血TTF的預計可根據電流密度的平均值J及電流密度絕對值|J|來計算。



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