MOS管的所有4個引線端都必須連接,不能浮地。為了減少在漏極應力電壓和器件之間的寄生電壓降落,從測量點到器件的源、柵、漏和襯底之間的電阻必須最小化。DAC08CP電容測試結構包括不同尺寸的大面積電容,測量氧化層的可靠性、擊穿電荷等;具有不同長度的條形電容,考察柵邊缺陷率和場邊缺陷率;具有不同面積和條形的天線結構,用以考察連接到氧化層電荷的電荷收集。

   當用多晶作柵電極時,由于存在接觸電勢差和可能在柵電極內形成耗盡層,在測試時實際作用在氧化層的電壓可能不同于施加在柵電極上的電壓,實際的擊穿電壓可能與測出的擊穿電壓不一致。在多晶一氧化層邊界的高摻雜可以抑制耗盡效應,特別是對薄柵介質層。