為了減小NBTI效應,必須降低⒏/s⒑2界面處的初始電激活缺陷密度,并且使水遠離氧化物。OF35HA100D2在多晶硅沉積過程中,芯片表面的水被趕走,生成較少水沾污的氧化層。使用氮化硅覆蓋層可以將水從有源CMOs器件中隔離開,明顯改善NBTI效應。為了保證氫鈍化懸掛鍵,同時保持距有源區的距離足夠大使水不能擴散到柵區域,氮化薄膜的圖案和幾何尺寸很關鍵。另外的研究表明,在這些氮覆蓋的有源PMOs器件中,減小應力和H濃度非常重要。

   氘是改善HCI和NBTI效應的有效方法。將氘注入si/s⒑2界面來形成si―D鍵不是一件小事,如果MOS器件側墻包括了氮化硅,沉積中有氫的存在,大多數的懸掛鍵已隨著氫飽和,氘難以取代它們,因此需要改變工藝來保證氘可以到達si/s⒑2界面來中和懸掛鍵,或者在己經存在的⒏H鍵中用氘取代氫。

   摻氮會有一些矛盾的結果,一些研究者認為改善了NBTI退化,而另外一些人則認為導致了更嚴重的退化。但是通常都可以觀察到退化的增強,氮濃度在NBTI敏感度中發揮著重要作用,特別是如果它位于si/s⒑2界面處。優化在柵氧中氮的摻 雜濃度可以明顯地改善NBTI靈敏度,另一個改善NBTI靈敏度的關鍵方法是通過使用N20生長氧化層的遠程等離子氮化和DPNo氧化層。在氧化層和硅界面處的氮減少了激活能,更高的氮濃度則具有更低的激活能,并且固定電荷和界面態具有相同的激活能,氮的位置也十分重要,氮和Si/S⒑2界面處的距離越近,NBTI退化越嚴重。