MOS場效應管的溝道長度￡由多晶硅條的寬度確定,溝道寬度〃則由晶體管有源區的邊長所確定。 ADM2483BRWZ-REEL版圖上的MOS場效應管尺寸稱為設計尺寸,這個尺寸決定掩模版上的圖形尺寸。器件在生產過程中要經歷一系列的工藝過程,將掩模版上的圖形轉移到硅片上,最后在硅片上得到一個MOs場效應管。由于制造工藝的影響,實際硅片上MOs場效應管的尺寸與設計尺寸之間會有所不同。

   圖8.14所示是MOS場效應管版圖。圖中給出的多晶硅線寬為E。但最終芯片上的MOs結構中,兩個N+區域間的尺寸要小于L,這是由于在離子注入、摻雜、退火等工序期間的橫向擴散所致。當硅圓片被加熱時,在源漏兩邊的摻雜物質各自朝著另一邊運動,在溝道兩端形成了長度為嫵的重疊區。

   在對場效應管進行電氣分析時,影響MOS場應管性能的是兩個N+區之間最終的實際長度,這個長度即場效應管的有效溝道長度,或稱電學溝道長 圖8.14MOs場效應管版圖 度。若將其記為Lcp顯然有由于場氧生長會引起有源區域減小,實際溝道寬度也會小于設計值,這稱為有源區的侵蝕,它使有效寬度變為吼f〃訟〃,Δ〃是工藝過程中引起的溝道寬度的減小。進行電氣分析時,場效應管的寬長比總是用有效值之比。