恒定電場等比例縮小規則的基本出發點是在器件橫向和縱向尺寸縮小的同時,H5TQ2G83EFR-PBC將其電壓按同一比例因子α縮小,目的是保持在縮小的器件中電場形態與在原先的器件中一樣。

   由于電壓和電流同時縮小,因此導通電阻保持不變,本征延時的減少主要得益于柵電容的縮小。由表8.5可知,在CE等比例縮小的情況下,器件的速度提高為原來的α倍,消耗的功率為原來的1旭2,占用的芯片面積為原來的1旭2。這一結果清楚地表明尺寸縮小帶來的有利影響――電路的速度將以線性關系增加,芯片的集成度(單位面積的晶體管數)按二次方關系增加,而功率密度(單位面積上的功

耗)仍然保持不變。

   CE理論的主要弱點是許多影響電路性能的參數,如硅的禁帶寬度、等效熱電壓(″/g)、等效氧化層電荷密度、功函數差、PN結內建電勢、載流子飽和速度、亞閾電流斜率、雜質擴散系數、周長面積比、介電常數、介質和硅的臨界電場強度、載流子碰撞電離率及某些工藝參數的誤差等,不能按比例變化。一些不希望或不應按比例變化的參數又不得不按比例變化,這些參數包括場氧化層厚度(希望盡可能厚,以減小寄生電容)、互連線厚度(希望盡可能厚,以減緩電阻的增加)、襯底濃度(希望盡可能低,以減少寄生的PN結電容)、接觸孔的面積(希望盡可能大,以減少寄生串聯電阻)等。