隨著CMOs器件工藝尺寸的不斷縮小,熱載流子注入效應始終存在,導致器件性能產生退化,甚至最終使器件失效。熱載流子注入將誘導氧化層陷阱電荷和界面態的產生,這些缺陷是導致器件性能退化的主要原因。AD8052ARM盡管MED℃I不具備直接模擬熱載流子效應的能力,但它能精確模擬出漏端附近橫向電場、碰撞電離率和電子注入電流的分布,因此可以得到熱載流子產生界面態區域和分布情況,進而可以獲得器件退化的區域及退化的狀態。

   MEDICI是先驅(AVANT!)公司的一個用來進行二維器件模擬的軟件,通過模擬器件中電勢和載流子的二維分布,預測任意偏置條件下的MOS型、雙極型及其他類型的半導體器件的二維特性。其通過解洎松(Poisson)方程和電子、空穴電流連續性方程,分析二極管、三極管及涉及兩種載流子電流的應。MEDICI也能分析單載流子起主要作用的器件,如MOsFET、JFET、MESFET。