從該表中可看出,與非門的模擬壽命約是實際壽命的54倍,而或非門模擬壽命約是實際壽命的30倍。

   減小MOS管熱載流子效應就可從電路拓撲結構和器件參數兩方面來考慮。首先,AD8051AR-REEL從器件參數方面來分析,對有后級驅動的反相器來說,后級輸入信號上升沿變化的斜率主要由前級上拉器件的電流驅動能力決定。前級上拉器件的電流驅動能力越強,信號變化越快,對抑制后級電路的熱載流子退化越有效。增加前級上拉器件(PMOs管)的溝道寬度是提高電流驅動能力的主要途徑。所以若反相器有后級驅動,采用長溝道寬度PMOs管可抑制熱載流子退化;而且因器件熱載流子退化對漏源電壓和開關頻率敏感,盡可能減小漏源電壓和開關頻率也有利于抑制熱載流子效應。其次,從電路拓撲結構來分析,對抑制熱載流子退化而言,與非門要比或非門有效。因此邏輯中若有或非關系,首先考慮將或非邏輯改成與非邏輯。單就或非門的抗熱載流子設計來看,可在輸出節點與NMOs管網絡之間串聯一個常開NMOS管,利用常開NMOs管的分壓來減小所有并聯NMOs管上的漏源電壓,達到抑制熱載流子退化的目的。

   與非門中頂端NMOS管最易發生熱載流子退化,邏輯設計中如果能讓到達頂部NMOS管的輸入上升信號早于其他NMOS管的輸入上升信號,熱載流子對頂部MOS管的損壞程度將會減小。因此可以考慮重排輸入信號線,利用信號線的延遲使最頂端的管子具有最小的開關頻率。還可以將開關頻率小的信號安排在與非門的A輸入端,這樣門電路頂部NMOS管的開關動作就不會使門的輸出發生轉換。