輻射高溫計需通過反應室的通光窗口測量襯底表面溫度,利用發射率和Planck公式計算襯底的溫度囫。A914BYW-470M但是發射率因生長材料不同而改變,另外當外延層中出現Fabry-Perot光學干涉時,隨著外延層厚度的增加,輻射高溫計的讀數出現振蕩,這些都影響讀數的準確性。為了得到襯底的真實溫度,傳統的解決方案是為輻射高溫計配置煩瑣的發射率校正功能系統,以此同步消除伴隨材料生長和厚度變化帶來的測量影響。其中特別值得一提的是,隨著測量理念的更新和技術深入發展,不易受外延層生長厚度變化影響、不需輻射修正的 輻射高溫計己經由中晟光電公司研制成功,應用于新一代MOCVD設備。

   反射率計如今也是MOCVD設備必不可少的眼睛。在材料的外延生長過程中,反射率譜的振幅會因生長過程中外延層表面變粗糙(或變平坦)而逐漸減小(或增大)。通過分析反射率譜在外延生長中的這些細微變化可以優化材料生長,特別是緩沖層等LED前期結構

的生長。通常反射率計由光源、單色儀和探測器等組成,要求所用的光對生長層是透明的。其工作原理是基于外延層一襯底界面和外延層表面產生的Fabry-Perot干涉形成振蕩周期。這個振蕩周期通常與光源波長、材料厚度及相應波長在材料中的折射率有關。最簡單的反射譜是記錄垂直照射到生長層表面的單色光的反射隨時間的變化。如取GaN折射率為2,35,入射波長為b~s5nm,垂直入射時每一個振蕩周期對應的外延層厚度為135nm。由此也可以

根據周期及其時間跨度計算出生長速度。目前使用的光源波長主要有635nm、95Onm和400nm。