在確定了原材料、載氣和襯底之后,MOCVD夕卜延生長的材料質量還受多種工藝條件的影響,典型的參數有生長溫度、反應室壓力、V/III比和生長速度等。AAT2510IWP-AA-T1在實際的材料外延過程中,需要將這些參數合理組合,以滿足晶體形貌、摻雜和組分等材料性質的需求。生長溫度是MOCVD材料外延的最重要參數。以GaAs襯底上外延GaAs為例,給出了GaAs的生長速率與生長溫度之間的關系,生長速率隨溫度變化可以分為3個區域.

   (1)熱動力學區,由于MOCVD是一放熱過程,當生長溫度太高時將會抑制外延材料生長的反應過程,因此生長速率隨溫度的升高而降低,也可能是勻相氣相反應造成反應物的耗盡所造成的。

   (2)反應動力學區,此時表面反應速度限制著生長速率,生長溫度增加,反應加快,生長速率增加。

   (3)質量輸運區,此時表面反應速度足夠快,到達表面的反應劑都能反應,生長速率由反應劑到襯底表面的質量輸運控制。

   MOCVD的生長溫度通常都在質量輸運區,對于紅光LED,生長溫度一般為550~sO0℃,通過高精密的MFC控制通入反應室的源流量,則可以控制材料的生長速率,而與襯底的溫度關系不大。