V/III比又稱輸入V/III比,是指通入反應室的V族源和Ⅲ族源的摩爾比。以GaAs層的外延為例,設TMGa的流量為20sccm,源瓶內的壓力為1200mbar,源瓶所在水浴溫度為5℃,AsH3的流量為100sccm,則AsH3的摩爾流量為100sccm/2241鴕m3・mo11=4.5×10ˉ3mo1/min,由1.4.1示例知,TMGa的摩爾流量為5,4×105mol/min,因此輸入V/III比為4.5×10ˉ3/5,4×10ˉ5=83。

   在進行紅光LED的材料外延時,襯底需AAT2510IWP-IG-T1要加熱,如果不采取措施,外延層表面的材料就會受熱揮發分解。由于Ⅴ族元素的揮發性比Ⅲ族元素的揮發性要強,因此外延過程通常在高V/III比的條件下進行,以保證生長表面處于富Ⅴ族的環境,這樣才能得到良好形貌的外延層。需要說明的是,雖然輸入V/III比很高,通常會大于100,但由于AsH3和PH3在生長條件下的裂解效率很低,導致外延層表面的V族元素和Ⅲ族元素的比遠低于輸入V/III比。

   V/III比除了影響材料的晶體質量外,還會影響材料的摻雜性質。圖3-6是Ⅴ/III比對本底GaAs摻雜特性的影響l。l,由圖(a)可見,隨著Ⅴ/III比的增加,外延層中的凈施主濃度增大;圖(b)是外延層中載流子濃度與Ⅴ/III比的關系,其中△和○分別代表兩個研究者的結果,從圖中可以看出,當V/III比較低時,生長的外延層為p型,隨著V/III比的增加,外延層由p型轉化為n型,且外延層中的電子濃度也隨V/III比的增加而增大。