本節介紹波長為65Onm的RCLED材料外延。之所以選用650nm波段,是因為其JST2N60D對應低成本塑料光纖(plastic opticd丘ber,POF)的低損耗窗口,是一典型的漸變型塑料光纖的損耗光譜,對應于650nm的損耗為158dB/km。可見,650nm RCLED是基于POF的低成本、短距離網絡通信系統中的最佳光源,對民用數據通信系統的發展具有重大意義。

   此外,65011m RCLED同樣可用于其他要求高效率和高方向性的非通信領域,如掃描儀、光電鼠標等。

    圖3-⒛給出了“Onm RCLED的外延結構示意圖,由n型DBR下反射鏡、p型DBR上反射鏡和諧振腔3部分組成。n型下DBR由34對四分之一波長的si摻雜Al05Ga05As//AlAs材料構成,反射率接近100%。p型上DBR則由摻C的6對Alθ5GaO5As/AlxGal”As構成,其中靠近諧振腔的第二對DBR的齊等于l,兼作后工藝的氧化限制層作用,其他層的/等于0.9。為了得到波長為65Onm的光輸出,有源區采用的是GaInP/(A105GaO5)05Ino5P三量子阱結構。通過設計調整相位匹配層的厚度,應使含有源區的諧振腔為l龍光學厚度[1剔。

   在RCLED全結構外延之前,需進行有源區自發輻射峰值波長及DBR中心反射波長的較準實驗。通過調整外延過程中Mo源的流量比、生長速率或生長時間,達到設計的波長要求。圖3-z是GaInP/(A105Ga05)05h05P三量子阱結構的PL譜測試結果,其中阱和壘的寬度都是5nm,通過調整阱中Ga和h的組分比,PL的峰值波長九w為653nm。是在GaAs襯底上生長的15對Al05GaO5As從lAs DBR材料的白光反射譜,反射帶寬的中心反