隨著外延水平的提高,p型G溆的摻雜己經有所改善,但p型歐姆接觸電極的制作仍然是決定GaN基LED電學特性的關鍵因素。目前,p型歐姆接觸特性的提升主要依賴于表面處理技術、高功函數金屬的選擇, K4S56163LF-ZG75以及電極的后退火技術。№/Au復合金屬層是現在普遍認同的p型歐姆接觸電極材料,該體系與少C.aN接觸電阻是目前所有金屬體系中最低的,且經o2氛圍退火后Ni/Au體系透射率較高,對4⒛um的光透射率達⒛%左右。如果p型表面使用了透明電極ITo作電流擴展層,p型和n型電極全用Cr/Au材料,這樣n型、p型只整一次金屬,大大節約了工藝成本。

   藍寶石襯底的絕緣性使器件的n、p接觸電極位于同一側,易引起電流擁擠效應。減小電流擁擠效應的有效辦法之一便是生長電流擴展層,對實際的LED器件來說,接觸電極的尺寸是有限的,而在電流擴展層電阻率一定的情況下,電極形狀會影響電流在串聯晶粒表面的電流擴展特性和電流密度。需要特別注意的是llp串聯連接部分的電極設計,要保證足夠的電極寬度和厚度,避免金屬爬越深隔離槽時出現局部電流密度過高導致的擊穿和 電極燒毀問題。