如果在一個均勻的高頻磁場中,如圖1.3.16(a)所示,放置―金屬圓環,那么,在此金屬環中將產生感應電流,此電流將產生一個反抗外磁場變化的磁場,如圖l,3,16(b)所示。 JST2N60D此磁場的磁力線在金屬圓環內與外磁場磁力線方向相反,在圓環外方向相同。結果使得金屬圓環內部的總磁力線減少,即總磁場削弱,而圓環外部的總磁力線增加,即總磁場加強。從而發生了外磁場從金屬圓環內部被排斥到金屬圓環外面去的現象,如圖1,316(c)所示。 如果在外磁場中放置一塊金屬板,金屬板可以看成是由若干個彼此短路的圓環所細成的。那么,由于渦流排斥外磁場的作用,反抗外磁場通過金屬板將外磁場排斥到金屬板外面,如圖1,3.17所示。故金屬板就成為阻止外磁場通過的屏蔽物。這種屏蔽方式稱為屏蔽物對磁場排斥。高頻的磁場屏蔽均屬這種方式。

   由此可以得出,對于磁場屏蔽:當頻率較低時,屏蔽作用是屏蔽物對磁路分路,應采用相對導磁率高的鐵磁材料做屏蔽物;當頻率高時,屏蔽作用是屏蔽物對磁場的排斥(這種排斥走由感應渦流引起的),應采用導電性能好的金屬材料作為屏蔽物。