制作GaN基垂直結構LED的工藝主要分成以下幾個步驟:表面處理、臺面刻蝕、鈍K2977M化層的淀積、P電極制作、轉移襯底的制備、晶片鍵合、激光剝離、表面粗化、N電極制作、劃片裂片以及封裝等。垂直結構LED芯片的具體制備流程如圖⒋38所示。

   圖⒋38 垂直結構LED芯片制備流程

   以上工藝,使用的是整片鍵合技術,外延片與硅片鍵合過程中需要在較高溫度、壓力下完成,同時鍵合過程會產生較大應力,會對芯片造成一些不良影響。近期關于垂直結構LED芯片的工藝,Philips公司提出了單芯片鍵合激光剝離方案。單芯片鍵合工藝主要特點是先進行激光切割,將GaN切割成單顆晶粒再進行鍵合工藝,這樣有利于后續的激光剝離,同時切割區域間的空隙可以釋放剝離過程中產生的應力。另外也有公司提出,可以通過電鍍方法轉移襯底,并且已經實現了商業化量產。