普通大功率GaN LED的工作電壓低(3V左右單顆),電流很大(350mA單顆),因K4B4G1646B-HCK0此在照明電路中通常要經過很復雜的電壓轉換電路實現2⒛V高壓向低電壓的轉換,由于LED的壽命很長(10萬小時),而使用中的轉換電路的電子元器件在大電流下工作時的壽命低于LED的壽命,結果導致整個LED燈泡不能正常工作。最早推出高壓LED模塊的是美國普瑞公司,他把很多封裝好的小功率LED串聯在基板上,構成大功率的高壓LED模塊,后來又出現了集成封裝形式的所謂COB LED,即把一顆顆分離的LED芯片在封裝時集成到一個散熱基板上,進行串并聯連接來形成高壓封裝LED。本小節所講的高壓LED芯片(Ⅲ吵VoltagC Ⅱght Emitting Diodc,HV LED)是指一種新結構的高壓LED芯片,是在芯片制造過程中通過將相互隔離的發光單元之間通過電極連接來實現的,圖⒋40是幾種高壓LED示意圖。