基于直接將p面朝上的外延層進行紋理化的損傷、面積損失、不好做電性連接、尺寸FM24CL16B-G和均勻性不好控制等諸多不利因素,人們便想在透明導電層上引入紋理化圖形來避免上述不利因素。量產化的GaN基LED的透明導電層一般是ITo,ITO易于用濕法蝕刻,很容易做成紋理化圖形。

   方法之一便是用聚苯乙烯(polystyrene,PS)小球作為自然的掩膜對ITO進行濕法或者干法蝕刻,做出紋理化圖形,提高光提取效率。如圖5-39中便是用PS犭、球作為掩膜刻蝕前的sEM圖和用PS小球作為掩膜制備的具有ITo紋理化的LED和平面ITO-LED的遠場輻射光型圖阝q。從圖中可看出,Ps小球的大小很均勻,較為適合作為ITo蝕刻的掩膜材質,并且將ITo做成紋理化后其電致發光(elcctrolumincscent,EL)光強比平面ITo乇ED明顯高。