因為A1GaInP材料p型摻雜困難給上電極下的電流擴展帶來問題,上電極注入的電流主要集中在上電極下面,此處發出的光會被上面的電極阻擋,有效發光區面積小,BAF04-24153-0502發光二極管的光提取效率較低,為此需要引入電流擴展層。

   LED中的電流擴展層需要滿足3個條件:①對有源區發出的光透明;②電阻率低;③和上下電極形成低勢壘接觸。對于紅光LED,電流擴展層一般有A⒗aAs[l㈣,GaP,透明導電氧化物(Tran。sparcnt Conductivc Oxidc,TCo)等透明材料。Chong-Ⅵ Lcc等人【ll]比較了A1GaAs與GaP同為電流擴展層的LED性能,雖然AlGaAs是晶格匹配材料且串聯電阻小,而GaP具有高達357%晶格失配,但是GaP作為電流擴展層具有更高的光輸出,是更加理想的電流擴展層材料。