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外延材料的測試分析

發布時間:2016/11/5 19:10:07 訪問次數:1240

   LED發光用氮化鎵基外延片包括LED全結構外延片,和按導電類型分為n型和p型兩種類型的單層氮化鎵外延片。 JANTX2N2222A氮化鎵基外延片首先需要進行外形尺寸、外觀的檢驗,包括:

   (1)外延層厚度。一般利用多光束干涉原理,在外延片的生長過程中進行膜厚的在線監測。一定波長的光從很薄的外延層的不同表面反射回來,存在光程差,會發生相長或相消干涉,可用于探測薄膜厚度,監測外延層的生長速率。對外延層厚度的在線監測有助于實時調整控制條件,提高外延片的成品率。

   (2)徑向厚度不均勻性。要求沿定位徑向厚度不均勻性≤±3%。

   (3)表面形貌。六角缺陷,細凹坑,細痕,白點等數量及尺寸;如¢50.8rym夕卜延片指標為六角缺陷小于300um,每片少于⒛個;細凹坑小于⒛um,每片少于100個;細痕小于511nll,每片少于3個;白點小于3mm,每片少于20個。

   (4)表面粗糙度。平面外延片表面粗糙度≤0.2nm。然后對外延片的波長范圍、均勻性(要求≤8nm)和電壓進行測量,電壓偏差很大,

波長偏長或偏短的樣品均為不合格產品。最后需要檢測外延片的晶體質量,包括雙晶半寬和位錯密度及位置分布,合格的產品要求位錯密度≤1×1010個/cm2(¢50.811nll外延片)。


   LED發光用氮化鎵基外延片包括LED全結構外延片,和按導電類型分為n型和p型兩種類型的單層氮化鎵外延片。 JANTX2N2222A氮化鎵基外延片首先需要進行外形尺寸、外觀的檢驗,包括:

   (1)外延層厚度。一般利用多光束干涉原理,在外延片的生長過程中進行膜厚的在線監測。一定波長的光從很薄的外延層的不同表面反射回來,存在光程差,會發生相長或相消干涉,可用于探測薄膜厚度,監測外延層的生長速率。對外延層厚度的在線監測有助于實時調整控制條件,提高外延片的成品率。

   (2)徑向厚度不均勻性。要求沿定位徑向厚度不均勻性≤±3%。

   (3)表面形貌。六角缺陷,細凹坑,細痕,白點等數量及尺寸;如¢50.8rym夕卜延片指標為六角缺陷小于300um,每片少于⒛個;細凹坑小于⒛um,每片少于100個;細痕小于511nll,每片少于3個;白點小于3mm,每片少于20個。

   (4)表面粗糙度。平面外延片表面粗糙度≤0.2nm。然后對外延片的波長范圍、均勻性(要求≤8nm)和電壓進行測量,電壓偏差很大,

波長偏長或偏短的樣品均為不合格產品。最后需要檢測外延片的晶體質量,包括雙晶半寬和位錯密度及位置分布,合格的產品要求位錯密度≤1×1010個/cm2(¢50.811nll外延片)。


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