藍寶石襯底橫截面;
發布時間:2016/11/6 18:03:10 訪問次數:621
納米壓印技術也同樣用于芯片的表面粗化,在艸GaN層表面形成二維光子晶體結構。H W Huallg等人利用納米壓印技術和ICP刻蝕獲得了G48101DL-R具有納米孔洞結構的藍寶石襯底表面(見圖5-43(a))和二維雙十二重準晶光子晶體結構的少GaN層表面(見圖5-43(c))。結果表明,⒛lllA驅動電流下由納米孔洞藍寶石襯底和二維光子晶體的p-GaN層表面構成的LED芯片,輸出功率分別提高34%和61%。芯片出光面(阝GaN層)的二維光子晶體微結構具有更高的光散射效應,從而極大地提高了芯片的光提取效率。
納米壓印技術也同樣用于芯片的表面粗化,在艸GaN層表面形成二維光子晶體結構。H W Huallg等人利用納米壓印技術和ICP刻蝕獲得了G48101DL-R具有納米孔洞結構的藍寶石襯底表面(見圖5-43(a))和二維雙十二重準晶光子晶體結構的少GaN層表面(見圖5-43(c))。結果表明,⒛lllA驅動電流下由納米孔洞藍寶石襯底和二維光子晶體的p-GaN層表面構成的LED芯片,輸出功率分別提高34%和61%。芯片出光面(阝GaN層)的二維光子晶體微結構具有更高的光散射效應,從而極大地提高了芯片的光提取效率。
相關技術資料- 11-6藍寶石襯底橫截面;
- 相關IC型號
- G48101DL-R
- 暫無最新型號
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