三星電子(Samsung Electronics)最近表示，已經開發出4Gb的NAND閃存和512Mb的DRAM。NAND閃存采用70納米生產工藝，而DRAM則采用80納米生產工藝。

此外，三星還宣布推出一種名為“聚變內存”的芯片，并希望該產品有助于NAND取代NOR閃存及其它內存組合。聚變內存是一種集成式、單芯片內存，它把高密度內存與邏輯器件集成在一起。第一個聚變內存是512Mb NAND閃存，具有一個邏，它將內存與邏輯器件集成在一塊芯片上。4Gb NAND閃存的內存單元尺寸為0.025平方微米，包括一個30納米厚的鎢金屬門，將減少單元之間的阻抗和噪聲水平。新型鎢金屬門適于采用50納米工藝的設計。

    三星的DRAM采用了Recess Channel Array Transistor (RCAT)技術，以及高k氧化物工藝，滿足1.5V以下的低電壓需求。初期量產的是1-Gbit和512-Mbit，數據率為3Gbps。