直到20世紀70年代中期，負膠一直AD8072ARM-REEL7在光刻工藝中占主導地位。隨著超大規模集成電路( VLSI)和2—5 ht,m圖形尺寸范圍的出現使負膠的分辨率變得困難。正膠存在了20多年，但是它們的缺點是黏結能力差，而且它們的良好分辨率和防止針孑L能力在那時也并不需要。

   到了20世紀80年代，正膠逐漸被接受。這個轉換過程是很不容易的。轉化到正膠需要改變掩模版的極性。遺憾的是，它不是簡單的圖形反轉。用掩模版和兩種不同光刻膠結合而在晶圓表面光刻得到的尺寸是木同的（見圖8. 18）。由于光在圖形周圍會有衍射，用負膠和亮場掩模版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩模版E的圖形尺寸小。用正膠和暗場掩模版組合會使光刻膠層上的圖形尺寸變大。這些變化必須在掩模版／放大掩模版的制作和光刻J：藝的設計過程中考慮到。，換句話說，光刻膠類型的轉變需要一個全新的光刻工藝.

   對于大多數掩模版來說，圖形大部分都是空洞。用正膠和暗場掩模版組合還可以在晶圓表面得到附加的針孔保護（見圖8. 19）。亮場掩模版在玻璃表面會傾向于有裂紋。。這些裂紋稱為玻璃損傷( glassdamage)，它會擋住曝光源而在光刻膠表面生不希望的小孔，結果就會在晶圓表面刻蝕出小孔。那砦在光刻膠透明區域上的污垢也會造成同樣的結果。在暗場掩模版卜^，大部分都被鉻覆蓋住了，所以不容易有針孔出現。因此，晶圓表面也就會有比較少的孔洞，對于非常小的圖形面積，正膠是唯一的選擇。