在集成電路的加工過程中,氧化層厚度的控制是十分重要的。如柵氧化層的厚度在亞微米工藝中僅幾十納米,KP2310STL甚至幾納米。而通過Dea⒈Grovc氧化速率模型基本可以從理論上推導出硅的熱氧化過程中氧化劑濃度、氧化工藝時間與氧化層生長速率和厚度之間的一般關系,預測熱氧化過程中的兩種極限情況。人們在各種不同條件下,做了大量實驗并與理論模型進行比較,包括干氧氧化、水汽氧化和濕氧氧化(讓氧氣胃泡通過溫度為85℃的高純水,得到的水汽壓力為8,5×101Pa),氧化溫度在700^ˇ1⒛0℃之間,控制精度為±1℃,用多光束干涉法測量氧化層的厚度。硅熱氧化的普遍關系以及兩種極限情況的實驗測定結果如圖⒋10所示。由圖可見,在長時問氧化或氧化時間很短時,氧化層厚度實測值與Deal Glo吹模型計算值吻合。在氧化層生長工藝過程中,多種因素對氧化層生長

速率常數產生影響。下面從溫度、氧化劑分壓、襯底晶向、摻雜濃度及雜質類型等因素對氧化速率影響角度進 行討論。