干涉條紋法 基本原理與比色法相同,采用的是單色光源和專門的干涉顯微鏡。測量前OX16PCI954-TQA1G ,首先把Si層通過48%氫氟酸腐蝕(將不需要腐蝕的⒊o2用真空封蠟保護起來)而制作出一個斜面,如圖⒈29所示是在⒊O纟層h制作的斜面c然后把單色光(λ一定的光)垂直投射到斜面區域,對于透明膜,在斜面各處所對應的厚度不同,人射光從表面與從襯底反射出來的光束之間的光程差不同,因此產生相長干涉和相消千涉,這時在顯微鏡下即可觀察到在斜面處有明暗相間的條紋,稱為等厚干涉條紋(如圖L130所示)。

   如果單色光波長為二氧化硅膜的折射率為″,則相應的膜厚J漲)為

式中,N為在顯微鏡下觀察到的條紋數;″為二氧化硅膜的折射率。

一般從一個最亮條到相鄰的一個最亮條(或最暗條到相鄰的一個最暗條)就算一個干涉條紋,而從最暗條到相鄰最亮條則可算為半個干涉條紋。如圖130所示,N為3.5。較為常用的單色光源為鈉光燈,波長為^=5993A≈0,6um9而″≈1.5,則每一條干涉條紋近似地相當于⒛00A的so2厚度。