薄膜質量,主要是指薄膜是否為保形覆蓋,界面應力類型與大小,薄膜的致密性、厚度均ON4986勻性、附著性等幾方面特性。通過分析薄膜的質量特性,對淀積過程進行控制,從而制備出滿足微電子I藝所需的薄膜。

   臺階覆蓋特性

   在制備薄膜之前,通常在襯底上已經進行了多個單項工藝操作,襯底表面不再是平面,而是存在臺階。而隨著超大規模集成電路集成度的不斷提高,單元結構尺寸已進入了深亞微米級,造成襯底表面微結構的深寬比也越來越大,因此,薄膜的臺階覆蓋性能成為淀積薄膜質量控制的關鍵問題。淀積薄膜會出現如圖75所示的兩種臺階覆蓋方式:保形覆蓋和非保形覆蓋。保形覆蓋是指無論襯底表面有什么樣的微結構圖形,在上面淀積的薄膜都有相同的厚度。集成電路工藝中多數情況下希望淀積薄膜是保形覆蓋。

   保形覆蓋是由同一襯底不同位置薄膜淀積速率是否均勻一致決定的。由7.2,2節分析可知C、0薄膜淀積速率主要由襯底溫度和表面反應劑濃度決定。同一襯底不同位置的溫度可以看成是完全相同的,當襯底溫度升高時,襯底表面吸附的反應劑和表面反應生成的原子或分子在襯底表面遷移率就會提高,使得在同一襯底不同位置的分布趨于均勻,淀積的薄膜厚度就會趨于均勻。而表面反應劑濃度的影響較為復雜。反應劑分子(或原子團)是通過氣相擴散穿過邊界層到達襯底表面的,所以表面反應劑的濃度與同一襯底不同位置的到達角及邊界層厚度有關。