等離子增強化學氣相淀積(Phsma E岫⒛ced CX/Tl,PECVD)是采用等離子體技術把電能耦合到氣體中,激活并維持化學反應進行薄膜淀積的一種工藝方法。K4B1G0846F-HCH9為了能夠在較低溫下發生化學氣相淀積,必須利用一些能源來提高反應速率,進而降低化學反應對溫度的敏感。PECVD就是用等離子體來增強較低溫度下化學反應速率的。目前,在集成電路工藝中,只要是需要在較低溫度淀積的介質薄膜或多晶硅薄膜,通常都采用PECVD工藝。

   圖719是典型PECVD淀積室的示意圖。反應氣體從底部中央進人室內,沿徑向在襯底上流過。將射頻功率通過平行板式電極以電容方式與室內氣體相耦合,等離子體就在上電極和下電極之問產生。襯底放置在可旋轉、控溫的下電極上。這種反應器出現得最早,也是應用最為廣泛的反應器。但是,由于襯底是單層平放在下電極上,限制了襯底裝載量,因此生產效率較低。

   ΠE、①除了上述典型設備之外,還有熱壁式的設備。如圖⒎⒛所示是一種改進型∏rˇD系統示意圖,這類似于從到LPCX.D的改進。襯底放在一組平行電極附近,如圖⒎⒛(b)側視圖所示。由于襯底是垂直放置,襯底之間的空間相當窄。因為相間的電極連接在射頻發生器相反的兩端,所以在每一個單獨的襯底硅片之間都產生等離子體。這種反應器襯底硅片的裝載量大大增加了,但是,也會出現氣相反應帶來的顆粒污染現象,以及氣缺效應帶來的膜厚不均勻問題。