以SlH砭/N2為反應劑淀積氮化硅時,如果其他的工藝條件與以SiH1/NH3為反應劑時相同,則N2和sH1之比需要高達(100:1)~(1∞0)。這是因為N2的等離子化速率比sH,慢得多,只有ACT2802QL-T1026等離子化的反應劑之間的化學反應才能在低溫下進行,所以氣體N2的濃度應遠高于sH4。另外,由于N2比NH3更難以分解,薄膜的淀積速率也較低。化學反應方程式為

    ⒏H1(g)+N2(g)―-・si,N3Ht(s)+HL(g)

   實際上,由sH1/N2制各的氮化硅薄膜中氫的含量較少。在7%~15%之間,但薄膜中還會含有少量的氮氣分子。因此,使用氮氣代替氨氣淀積的薄膜的致密度有所提高。但擊穿電壓有所降低,臺階覆蓋性也較差。

   近年來,高密度等離子體技術也應用到氮化硅薄膜制各中,如電子回旋共振技術。HDP C、①的應用使得N2的等離子化速率加快,可以在較低溫度下,在無離子轟擊襯底的情況下就形成原子N。因此,以⒏H逆/N2為反應劑采用HDPC、0方法可以在低于200℃淀積sNy。以sH1為硅源制備的PEClJTD s厶N1薄膜的性質及淀積速率都與具體淀積條件密切相關,如電場頻率、功率、氣體壓力、襯底溫度、反應氣體分壓、反應器的幾何形式、電極結構與材料和抽氣速率等。其中,有些參數的影響是可預見的,例如,在一定范圍內,功率、溫度和反應劑分壓增加,淀積速率增加;襯底溫度增加薄膜質量將提高等。而某些參數的影響至今還無法科學地解釋,如低頻等離子體,頻率為50kHz時,淀積的⒊3N4薄膜的內應力為壓應力,約2×10:Pa;而高頻等離子體,頻率為13.56MHz時,淀積薄膜的內應力則為張應力,約4×103Pa。