SiH2C1或sC1是LPCVD s屯N4使用較多的硅源,工藝溫度在700~85O℃之間,氣體壓ACT2802CQL-T力在10~100Pa范圍,和⒊H2C炻或⒊α返反應的氣體主要是NHd。化學反應方程式如下:

   3⒏H2C12(g)+茌NH3(g)―→S厶N4(s)+6HCl(g)+6H2(g)

   SC11(⒆+4NH3(g)―→・Si3N4(s)+2C12(g)+6H2(g)

在淀積過程中必須輸人足夠量的NH3以保證所有的SlH2C1都被消耗掉。如果NH3不夠充足,薄膜就會變成富硅型。因此,淀積時使用過量的NH3氣體。凱Nl薄膜的淀積速率隨著各種氣體總壓,或者⒊H2α2分壓的增大而增加,隨著NH3與SiH2C炻比值的增大而降低。在700℃時,可以得到10nm/min的淀積速率。溫度升高,淀積速率增加。在工藝溫度范圍內,薄膜淀積速率是受表面反應速率限制的。因此,如果反應氣體是從一端進人反應室的,考慮到氣缺效應,沿著氣流方向反應室要有適當升高的溫度梯度。圖⒎27所示是溫度梯度對弘N亻薄膜厚度的影響。

   影響氮化硅質量的因素主要有工藝溫度、總氣壓、反應劑分壓、反應劑氣體比例和反應室(爐)的溫度梯度。