多晶硅是由大量單晶硅顆粒(稱晶粒)和晶粒間界(叉稱晶界)構成的。集成電路工藝中的多晶硅薄膜,晶粒尺寸通常在100nm左右,晶界寬度在0,5~1nm之間。 ACT334US-T不同的制備工藝,不同的薄膜厚度,多晶硅的晶粒和晶界尺寸略有不同。盡管在多晶硅薄膜中的晶粒可能是各種取向的都有,但通常存在優先方向。優先方向也是與制各工藝和薄膜厚度有關的。多晶硅薄膜的特性與單晶硅相似,但晶界的存在使得它叉具有一些特有性質。

   常用的多晶硅薄膜既有未摻雜的本征多晶硅,也有不同摻雜類型、不同摻雜濃度的n型或p型多晶硅。多晶硅的摻雜特性與單晶硅有所不同。晶界是具有高密度缺陷和未飽和懸掛鍵的區域,對雜質擴散和雜質分布都產生重要影響。在晶界上,摻雜原子的擴散系數明顯高于晶粒內部的擴散系數,雜質沿著晶界的快速擴散使得整個多晶硅的雜質擴散速率明顯增加。同樣,雜質的分布也受到晶界

的影響。相同溫度下,晶界上雜質的固溶度通常高于晶粒內部,在晶粒/晶界之間出現雜質的分凝現象,分凝系數通常小于1。