對晶體靶進行離子注人時,當離子注入的方向與靶晶體的某個晶向平行時,其運動PG985C3R軌跡將不再是無規則的,而是將沿溝道運動并且很少受到原子核的碰撞,因此來自靶原子的阻止作用要小得多,而且溝道中的電子密度很低,受到的電子阻止也很小,這些離子的能量損失率就很低。在其他條件相同的情況下,很難控制注人離子的濃度分布,注入深度大于在無定形靶中的深度并使注人離子的分布產生一個很長的拖尾,注人縱向分布峰值與高斯分布不同,這種現象稱為離子注入的溝道效應(Channeˉhllg Effect),如圖614所示。

   如果具有一定能量的入射離子,進入晶體里某一主軸的臨界角ocˉ內,那么,離子在每一時刻都要接近晶格原子,而受到晶格原子核庫侖屏蔽場的排斥作用,使它偏離原來的方向而避免與原子核的劇烈碰撞。圖614表明溝道注人的各種情況:在圖(a)中,離子A以大于⒘∴的方向入射,它將與晶格原子有嚴重的碰撞,因而與非晶靶入射的情況相同,除非它碰巧準直于另一個晶軸方向;離子B以稍小于吼的情況人射,它在溝道中將受到較大的核碰撞而損失較多的能量,因而在溝道中“振蕩”,離子B將比離子A滲透得更深,但小于離子C的溝道注人深度;離子C以遠小于監:的方向人射,它在溝道中很少受到原子核的碰撞,而具有很大的滲透本領。