漂硼硅玻璃:預淀積后的擴散窗口表面有薄薄的一層硼硅玻璃,應在10%HF中漂約10秒鐘,去除這層硼硅玻璃。

   再分布:是限定源擴散,硼源總R3111N451A-TR-F量已在預淀積時擴散在窗口上了,再分布的目的是使雜質在硅中具有一定的分布,或達到一定的結深。再分布不再需要其他硼源,一般工藝溫度高于預淀積溫度,時間長于預淀積時間。另外,通氮氣保護,可以通氧氣和氧化同時進行。

   例如,3DK4制各中硼擴散的再分布也是二次氧化,工藝條件為干氧10min9濕氧30min→干氧10Y【lln,溫度H70℃。再分布也是先用陪片來確定擴散時間,通過測定再分布陪片的方塊電阻來確定正片的再分布時間。

   測方塊電阻:可以通過測方塊電阻來了解摻雜情況。

   如果再分布是與氧化同時進行的,能夠通過調節干、濕氧時間來對硅表面雜質濃度進行調整。因為硼在硅與二氧化硅界面有雜質再分布現象,這主要由硅的氧化速率、雜質在⒊/Si02中的分凝(Κ:

=o.1)以及硼在Sl與⒊02中的擴散速率決定的,其中氧化速率是主要因素。若在預淀積時擴人硅中的棚的總量比所設計的值偏大,即測得的方塊電阻偏小,再分布時就可以通過縮短干氧時間,或直接通濕氧來加快氧化速率,使原來在硅表面的硼保留在生長出的⒊O2中,⒏/SiO2界面的硅一側即硅表面雜質濃度有所下降,將使再分布后的方塊電阻有所提高。