磁控濺射(Magnetlon助utt山llg)是在⒛世紀70年代發展起來的濺射技術。1974年Chamn發明了適用于工業應用的平面磁控濺射靶,這一發明推動了磁控濺射進人生產領域。L7905CP目前,磁控濺射已成為集成電路制造技術中實際應用最多的P`0薄膜制備方法。

   磁控濺射是在陰極靶面上建立與電場正交的環形磁場,以控制離子轟擊靶面所產生的二次電子的運動軌跡。二次電子被局限于靶面附近,呈現螺旋狀環形運動軌跡,如圖⒏⒛所示是磁控濺射靶表面的磁場和電子運動的軌跡。

   圖⒏24 磁控濺射靶表面的磁場和電子運動的軌跡

  實際上,多數濺射裝置都有附加磁場,以延長電子飛向陽極的行程。只不過磁控濺射所采用的環形磁場對二次電子的控制更加嚴密。

   磁控濺射靶延長了二次電子的運動路徑,增加了電子與氣體原子(或分子)的碰撞次數,極大地提高了等離子體中的離子濃度。在直流等離子系統中,典型離子密度是0,0001%,而在磁控等離子系統中,離子密度可達0.03%。由此帶來如下優點。