①提高了濺射效率,使薄膜的淀積速率也有大幅度提高,薄膜淀積速率與直流濺射相比提高了一個數量級。 L79L05ACD13TR

   ②可以降低系統內工作氣體的氣壓,如當工作氣體的氣壓在105Pa時都能形成等離子體,這使所淀積薄膜的純度有所提高。

   ③被磁場束縛的二次電子在與氣體粒子多次碰撞之后能量迅速降低,被復合消失掉,這就顯著地減少了高能二次電子對安裝在陽極上的襯底的轟擊,降低了由此帶來的襯底損傷和溫升。 磁控濺射技術發展迅速,目前已有多種類型的磁控濺射設各和相應的工藝方法被廣泛應用。按電場劃分有直流、中頻和射頻磁控濺射;按可安裝靶的數量劃分有單靶和多靶;按靶與磁場幾何結構劃分叉有同軸型、平面型和S槍型等多種。

   當前,在微電子工藝中普遍使用的是平面型磁控濺射設備,這種類型的設備是從直流平板式濺射設備發展起來的,一般都配各有直流、射頻等多種濺射電源;在淀積室也有多個靶座,可進行多靶同時濺射或多靶順序濺射。圖⒌25所示的SR3型磁控濺射臺就是一種平面型磁控濺射設備。SP3型磁控濺射臺是中科院微電子研究所研制的,通過該 圖⒏25 SP3型磁控濺射臺 設備可以了解當前微電子I藝中采用的磁控濺射設備的性能和特點。