光刻時接收圖像的介質稱為光刻膠。以光刻膠構成的圖形作為掩膜對薄膜進行腐蝕,圖形就轉移到晶片表面的薄膜上了,所以也稱光刻膠為光致抗蝕劑。 S-8052ALO-LG-T1光刻膠在特定波長的光線(或射線)下曝光,其結構發生變化。如果膠的曝光區在顯影中除去,稱該膠為正性膠(也叫正膠);如果膠的曝光區在顯影中保留,而未曝光區除去,稱該膠為負性膠(也叫負膠)。光刻膠也可以按其用途劃分為可見光膠、電子束光刻膠、X射線光刻膠等。

   光刻膠是一種有機化合物,它受紫外光曝光后,在顯影溶液中的溶解度會發生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態涂在硅片表面,而后被干燥成膠膜。硅片制造中使用光刻膠的目的如下。

   ①將掩模板圖案轉移到硅片表面頂層的光刻膠中。

   ②在后續工藝申,保護下面的材料(如刻蝕或離子注人阻擋層)。

    隨著器件電路密度持續縮小其關鍵尺寸,為了將亞微米線寬圖形轉移到硅片表面,相關技術得到了改善。這些改善包括以下幾點。

   ①更好的圖形清晰度(分辨率)。

   ②對半導體硅片表面更好的黏附性。

   ③更好的均勻性。

   ④增加了工藝寬容度(對工藝可變量敏感度降低)。